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MSQ40P07D
P沟道 耐压:40V 电流:6.5A
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- 描述
- P-Channel Dual MOSFET,-40V,-6.5A,SOP-8
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSQ40P07D
- 商品编号
- C22465531
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 40 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED照明