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MSHM30N46
N沟道 耐压:30V 电流:46A
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- 描述
- N-Channel Power MOSFET,30V,46A,DFN3x3
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSHM30N46
- 商品编号
- C22465533
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 栅源电压（VGS）为10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 主板/显存/内核电压
- 负载点（POL）应用
- 开关电源第二级同步整流