温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSQ30P07D
P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P-Channel Dual MOSFET,-30V,-6.5A,SOP-8
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSQ30P07D
- 商品编号
- C22465594
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) = 12 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%经过EAS测试
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 主板/显卡/Vcore-负载点应用-负载开关-LED应用