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MSQ100N03D
N沟道 耐压:100V 电流:2.3A
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- 描述
- N-Channel Dual MOSFET,100V,2.3A,SOP-8
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSQ100N03D
- 商品编号
- C22465532
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 158mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.021nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于高性能汽车DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SNM0834DNAQ符合RoHS标准。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 152 mΩ
- 快速开关
- 提高dv/dt能力
- 100%保证雪崩能量耐量(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 网络
- 负载开关
- LED应用