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WST2011-ES
P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 2个P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：负载开关、电池保护、能量管理、DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- WST2011-ES
- 商品编号
- C22464633
- 商品封装
- SOT23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@4.5V；180mΩ@1.8V；118mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
WST2011-ES 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WST2011-ES 为无铅产品。
商品特性
- -20V，栅源电压（VGS） = -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 82mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -2.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 118mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -1.8V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 180mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换