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NCE0106R-ES

N沟道,电流:4A,耐压:100V

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描述
N沟道,100V,4A,120mΩ@10V,4A,1.7V@250μA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
NCE0106R-ES
商品编号
C22464637
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.192克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V@250uA
输入电容(Ciss)650pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)30pF

商品概述

SPM0652DRAQ 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于高性能汽车 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 SPM0652DRAQ 符合 RoHS 标准。

商品特性

  • 漏源耐压:-60V
  • 最大 RDS(ON):在 VGS = -10V 时为 52mΩ
  • 在 VGS = -4.5V 时为 67mΩ
  • 通过 AEC-Q101 认证
  • 出色的导通电阻
  • 通用封装尺寸 PDFN3333-8L
  • 100%进行 Rg 和雪崩测试
  • 湿度敏感度等级 1 级

应用领域

  • 汽车系统
  • DC/DC 转换器
  • 电源转换器电路
  • 便携式设备的负载/电源开关

数据手册PDF