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FQT7N10LTF-ES
N沟道MOSFET,电流:4A,耐压:100V
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- 描述
- N沟道,100V,4A,120mΩ@10V,4A,1.7V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- FQT7N10LTF-ES
- 商品编号
- C22464635
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
FQT7N10LTF-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品FQT7N10LTF-ES为无铅产品。
商品特性
- 100V,RDS(ON) = 120 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 130 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换
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