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AOD413A-MS
P沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- 这款P沟道MOS管，采用TO-252封装,具备漏源电压(Vdss):40V,峰值电流高达ID:150A,被广泛应用于各种开关电源、负载开关、电机控制、LED驱动、电池保护电路以及其它需要高效能、低功耗开关元件的场合
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AOD413A-MS
- 商品编号
- C22462609
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4532克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.076nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
SNM041R4DNAQ是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于高性能汽车DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SNM041R4DNAQ符合RoHS标准。
商品特性
- -40V、-12A,VGS = -10V 时,RDS(ON) = 34mΩ
- 改善了 dv/dt 能力
- 快速开关
- 提供 100% 无铅环保器件
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED 照明
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