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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD603A-MS

双沟道MOSFET,电流:13A,耐压:60V

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描述
此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道,采用TO-252-4L封装,他具备漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):13A,强大的性能,被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中,以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
AOD603A-MS
商品编号
C22462611
商品封装
TO-252-4L​
包装方式
编带
商品毛重
0.4704克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16.6nC@10V
输入电容(Ciss)1.18nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)68pF

商品特性

  • 快速开关
  • 提供绿色环保器件
  • 适用于4.5V栅极驱动应用

应用领域

  • 直流风扇
  • 电机驱动应用
  • 网络
  • 半桥/全桥拓扑

数据手册PDF