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AOD603A-MS
双沟道MOSFET,电流:13A,耐压:60V
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- 描述
- 此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道，采用TO-252-4L封装，他具备漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):13A,强大的性能，被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中，以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AOD603A-MS
- 商品编号
- C22462611
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4704克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
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