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AOD4184A-MS
40V,50A,导通电阻:5.5mΩ@VGS=10V
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- 描述
- 此款是N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装，具备漏源电压(Vdss):40V,峰值电流高达ID:50A,被广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、便携式电子设备、LED驱动电路、以及需要高效、低热耗散开关元件的其他领域
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AOD4184A-MS
- 商品编号
- C22462610
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4576克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF |
商品概述
SNM0625DNAQ是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于高性能汽车DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SNM0625DNAQ符合RoHS标准。
商品特性
- 40V、50A,VGS = 10V 时 RDS(ON) = 5.5mΩ
- 改善的 dv/dt 能力
- 快速开关
- 提供环保器件
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载点应用
- 开关电源二次侧同步整流
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