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NCP51752CDDR2G

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描述: 设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。提供短且匹配的传播延迟。为提高可靠性、dV/dt抗扰度和更快的关断速度，具有创新的嵌入式负偏置轨机制。还提供其他重要的保护功能，如两侧驱动器的独立欠压锁定。Vec UVLO阈值参考GND2，实现真正的UVLO，不受VEE电平影响。采用4mm SOIC-8封装，可支持高达3.75 kVRMS的隔离电压。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP51752CDDR2G
商品编号: C22460553
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.38克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	驱动配置	-
	隔离电压(Vrms)	3750V
	负载类型	MOSFET、SiC
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~20V
	拉电流(IOH)	4.5A
	灌电流(IOL)	9A
	工作温度	-40℃~+125℃
	上升时间(tr)	12ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	8.3ns
	传播延迟 tpLH	36ns
	传播延迟 tpHL	-
	输入高电平(VIH)	1.4V~2V
	输入低电平(VIL)	0.8V~1.4V
	静态电流(Iq)	715uA
	CMTI(kV/us)	200kV/us
	驱动侧工作电压	13.5V~30V
	功能特性	米勒钳位保护

商品概述

NCP51752 是一系列隔离式单通道栅极驱动器，分别提供 4.5 A/9 A 的峰值拉电流和灌电流能力。该系列产品专为驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率开关的快速开关而设计。NCP51752 具有短暂且匹配的传播延迟。为了提高可靠性、增强 dV/dt 抗扰度并实现更快的关断，NCP51752 采用了创新的嵌入式负偏置轨机制。该驱动器还提供其他重要的保护功能，例如两侧驱动器独立的欠压锁定功能。其 VCC 欠压锁定阈值以 GND2 为参考，确保无论 VEE 电平如何都能实现真正的欠压锁定。NCP51752 采用 4 mm SOIC-8 封装，可支持高达 3.75 kVRMS 的隔离电压。

商品特性

以 GND2 为参考的 VCC 欠压锁定功能
在 GND2 和 VEE 引脚之间内置负偏置，可通过微调选择负偏置电平
3 V 至 20 V 的输入电源电压
输出电源电压范围为 6.5 V 至 30 V，针对 MOSFET 和 SiC MOSFET 设有 6 V、8 V、12 V 和 17 V 阈值
具备 4.5 A 峰值拉电流和 9 A 峰值灌电流输出能力
最小共模瞬变抗扰度为 200 V/ns
输入引脚具备 -5 V 处理能力
典型传播延迟为 36 ns，最大延迟匹配为 5 ns
符合 UL1577 要求，1 分钟隔离耐压达 3.75 kVRMS（计划中）
计划通过 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
计划通过 IEC 62386-1 的 SGS FIMO 认证

应用领域

电机驱动
直流-直流和交-直流电源中的隔离式转换器
服务器、电信和工业基础设施

数据手册PDF

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