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NCP51752CDDR2G
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- 描述
- 设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。提供短且匹配的传播延迟。为提高可靠性、dV/dt抗扰度和更快的关断速度，具有创新的嵌入式负偏置轨机制。还提供其他重要的保护功能，如两侧驱动器的独立欠压锁定。Vec UVLO阈值参考GND2，实现真正的UVLO，不受VEE电平影响。采用4mm SOIC-8封装，可支持高达3.75 kVRMS的隔离电压。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP51752CDDR2G
- 商品编号
- C22460553
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | - | |
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 负载类型 | MOSFET、SiC | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 4.5A | |
| 灌电流(IOL) | 9A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 上升时间(tr) | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 8.3ns | |
| 传播延迟 tpLH | 36ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 715uA | |
| CMTI(kV/us) | 200kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | - | |
| 功能特性 | - |
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