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LMG3522R050RQSR

集成了驱动器、保护与温度报告功能的GaNFET

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描述: 带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET。集成高精度栅极偏置电压，200V/ns FET 释抑，3.6MHz 开关频率，15V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI，由 7.5V 至 18V 电源供电。具有强大的保护，响应时间＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护，硬开关时可承受 720V 浪涌，针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护。高级电源管理功能包括数字温度 PWM 输出，LMG3526R050 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)。顶部冷却 12mm x 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3522R050RQSR
商品编号: C22456562
商品封装: VQFN-52
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	最大连续电流	44A
	工作电压	7.5V~18V

	属性	参数值
	导通电阻	43mΩ
	工作温度	-40℃~+150℃
	特性	过热保护(OTP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP)；欠压保护(UVP)

商品概述

带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET。集成高精度栅极偏置电压，200V/ns FET 释抑，3.6MHz 开关频率，15V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI，由 7.5V 至 18V 电源供电。具有强大的保护，响应时间＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护，硬开关时可承受 720V 浪涌，针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护。高级电源管理功能包括数字温度 PWM 输出，LMG3526R050 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)。顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感。

商品特性

带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns FET 释抑
3.6MHz 开关频率
15V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
由 7.5V 至 18V 电源供电
响应时间＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
硬开关时可承受 720V 浪涌
针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
数字温度 PWM 输出
LMG3526R050 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感

应用领域

开关模式电源转换器
商用网络和服务器 PSU
商用通信电源整流器
光伏逆变器和工业电机驱动器
不间断电源