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NTMFS1D1N04XMT1G
40 V、1.05 mΩ、233 A N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：低导通电阻 (RDS(on))，以减少传导损耗。 低电容，以减少驱动损耗。 小尺寸 (5 x 6 mm)，设计紧凑。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS1D1N04XMT1G
- 商品编号
- C22452760
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 233A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@120uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.155nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.25nF |
商品特性
特性：
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 经过 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
- 改善的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 高效率开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子镇流器