温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UCC21551CQDWKRQ1
UCC21551CQDWKRQ1
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21551CQDWKRQ1
- 商品编号
- C22445587
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；半桥；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 13.5V~25V | |
| 上升时间(tr) | 8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~2.3V | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1.4mA |
商品概述
UCC21551x-Q1是一个具备可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。
UCC21551x-Q1可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）至少为125V/ns。DFJ28封装提供大于5.3mm的通道间爬电距离，以支持高压系统。
保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及可抑制短于5ns输入瞬变的集成去毛刺滤波器。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。
凭借所有这些先进特性，UCC21551x-Q1器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
商品特性
- 通用：双低侧、双高侧或半桥驱动器
- 通过AEC-Q100认证，结果如下：器件温度等级1
- 结温范围 -40°C ~ +150°C
- 高达4A峰值源电流和6A峰值灌电流输出
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于125V/ns
- 通道间爬电距离：
- DFJ28封装大于5.3mm
- DWK封装大于3.3mm
- 高达25V的VDD输出驱动电源
- 提供5V、8V、12V和17V的VDD欠压锁定（UVLO）选项
- 开关参数：
- 典型传播延迟33ns
- 最大脉冲宽度失真5ns
- 最大VDD上电延迟10µs
- 所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护
- 快速使能用于电源排序
应用领域
- 车载电池充电器
- 高压DC-DC转换器
- 汽车HVAC、车身电子系统