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UCC21738QDWRQ1
适用于SiC/IGBT并具有主动保护和高CMTI的增强型隔离式汽车单通道栅极驱动器
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- 描述
- 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达2121V的SiCMOSFET和IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过40年，并提供较低的器件间偏移，共模瞬态抗扰度(CMTI)大于150V/ns。包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源UVLO（用于优化SiC和IGBT开关行为）和稳健性
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21738QDWRQ1
- 商品编号
- C22445590
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.304064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 高边；低边 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5700V | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 10A | |
| 灌电流(IOL) | 10A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 上升时间(tr) | 33ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 27ns | |
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 输入高电平(VIH) | 2.31V~5.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~0.99V | |
| 静态电流(Iq) | 4mA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13V~33V | |
| 功能特性 | 米勒钳位保护；饱和故障检测 |
商品概述
UCC21738-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。UCC21738-Q1 包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT开关行为）和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障事件期间强制打开电源开关，从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。
商品特性
- 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 具有符合 AEC-Q100 标准的特性
- 器件温度等级 1:-40℃ 至 125℃ 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 可提供用于功能安全系统设计的文档
- 支持高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 过流保护具有 270 ns 快速响应时间
- 外部有源米勒钳位
- 发生故障时提供 900mA 软关断
- 隔离侧的 ASC 输入，用于在系统故障期间打开电源开关
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 输入/输出具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度
- 130 ns（最大）传播延迟和 30 ns（最大）脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围:-40℃ 至 +150℃
应用领域
- EV牵引逆变器
- 车载充电器和充电桩
- HEV/EV 直流/直流转换器