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IXTH8P50
P沟道增强型雪崩额定MOSFET
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- 描述
- 特性：国际标准封装。低RDS(on) HDMOS™工艺。坚固的多晶硅栅单元结构。非钳位电感开关（UIS）额定值。低封装电感（<5nH）。易于驱动和保护。应用：高端开关。推挽放大器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH8P50
- 商品编号
- C22443610
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |