AHV85111KNHTR
自供电单通道隔离GaNFET驱动器,带调节双极输出驱动
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- 品牌名称
- ALLEGRO(美国埃戈罗)
- 商品型号
- AHV85111KNHTR
- 商品编号
- C22441821
- 商品封装
- SMD-12P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.003704克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 高边;低边 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 负载类型 | GaN | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 10.8V~13.2V | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 传播延迟 tpLH | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 50ns | |
| 静态电流(Iq) | 2mA | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 功能特性 | 集成供电电源 |
商品概述
AHV85111隔离栅极驱动器专为在多种应用和拓扑结构中驱动氮化镓场效应晶体管而优化。该驱动器集成了隔离的双路正/负输出偏置电源,无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高端自举电路。其具有可调且稳压的正电源轨的双极性输出轨,改善了电压变化率抗扰度,极大地简化了系统设计,并通过降低总共模电容来减少电磁干扰。它还允许在开关电源拓扑结构中的任意位置驱动浮动开关。
该驱动器具有快速的传播延迟和高峰值源/灌电流能力,能够高效地驱动高频设计中的氮化镓场效应晶体管。高共模瞬变抗扰度与用于偏置电源和驱动的隔离输出相结合,使其成为需要隔离、电平转换或接地分离以增强抗噪能力的应用的理想选择。
该器件采用紧凑型薄型表面贴装NH封装。集成了多项保护功能,包括初级和次级偏置电源轨的欠压锁定、输入引脚和输出下拉引脚的内置下拉、快速响应的使能输入、过温关断,以及输出脉冲与使能后首个输入上升沿的同步。
商品特性
- 变压器隔离屏障
- 集成隔离偏置的电源直通技术
- 符合AEC-Q100 2级认证
- 具有可调稳压正电源轨的双极性驱动输出
- 内置初级侧3.3 V参考偏置输出
- 50 ns传播延迟
- 电源电压范围 10.8 V < V_DRV < 13.2 V
- 初级V_DRV和次级V_SEC欠压锁定
- 具有快速响应的使能引脚
- 连续导通能力
- 共模瞬变抗扰度 > 100 V/ns
- 爬电距离 8.4 mm
- 安全法规认证
- 符合UL 1577标准,5 kV RMS V_ISO
- 最大瞬态隔离电压 8 kV pk V_IOTM
- 最大工作隔离电压 1 kV pk
应用领域
- AC-DC和DC-DC转换器
- 汽车
- 工业
- 清洁能源


