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S29GL01GT11FHIV20
1 Gb/512 Mb GL-T MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
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- 描述
- S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29GL01GT11FHIV20
- 商品编号
- C22430855
- 商品封装
- FBGA-64
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.06975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 5MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位；电源锁定保护 |