- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S25FL128SAGBHI300
SPI多I/O 3.0V闪存
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S25FL128SAGBHI300
- 商品编号
- C22434826
- 商品封装
- BGA-24(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- CMOS 3.0 V内核，支持多功能I/O
- 串行外设接口，支持多I/O
- SPI时钟极性和相位模式0与3
- 支持DDR选项
- 扩展寻址：24位或32位地址选项
- 串行命令集和封装与S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
- 多I/O命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
- 读取命令：支持常规、快速、双线、四线、快速DDR、双线DDR、四线DDR模式
- 自动引导：上电或复位后，在预选地址自动执行常规或四线读取命令
- 提供通用闪存接口数据，用于配置信息
- 编程速度达1.5 MBps：提供256字节或512字节页编程缓冲区选项；支持四线输入页编程，适用于低速时钟系统；内置自动ECC硬件，可生成错误校正码，实现单比特错误校正
- 擦除速度达0.5至0.65 MBps：提供混合扇区大小选项，地址空间顶部或底部包含32个4 KB物理扇区，其余均为64 KB扇区，以兼容前代S25FL器件；提供统一扇区选项，始终擦除256 KB块，以确保与更高密度及未来器件的软件兼容性
- 擦写循环耐久性：最小100,000次编程-擦除循环
- 数据保持：最小20年
- 安全特性：提供1024字节一次性可编程阵列；支持块保护：状态寄存器位可控制对连续扇区范围的编程或擦除保护；提供硬件和软件控制选项；支持高级扇区保护；支持通过引导代码或密码控制单个扇区保护
- 采用65纳米MIRRORBIT技术及Eclipse架构
- 内核电源电压：2.7 V至3.6 V
- I/O电源电压：1.65 V至3.6 V
- 提供SO16和FBGA封装
- 温度范围/等级：工业级（-40℃至+85℃）；工业增强级（-40℃至+105℃）；汽车级AEC-Q100 3级（-40℃至+85℃）；汽车级AEC-Q100 2级（-40℃至+105℃）；汽车级AEC-Q100 1级（-40℃至+125℃）
- 封装（均无铅）：16引脚SOIC（10.30×7.50×2.65 mm）（300 mil）；8引脚DFN（6.0×8.0×0.8 mm）（WSON）；24焊球FBGA（8.0×6.0×1.2 mm）；提供5×5焊球和4×6焊球两种焊盘布局选项；提供已知良好裸片和已知测试裸片