S29GL256S10TFI010

并行闪存设备，采用MIRRORBIT技术，具有快速页面访问和低功耗特性，适用于嵌入式应用。

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S29GL256S10TFI010
商品编号: C22433359
商品封装: TSOP-56
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位；电源锁定保护

商品概述

S29GL01G/512/256/128S系列是基于65纳米MIRRORBIT™ Eclipse工艺技术制造的闪存产品。这些器件提供最快15 ns的页面访问时间，以及相应的最快90 ns的随机访问时间。它们具有写缓冲区功能，允许单次操作编程最多256字/512字节，从而实现比标准编程算法更快的有效编程时间。这使其成为当今嵌入式应用的理想选择，这些应用需要更高的密度、更好的性能和更低的功耗。

商品特性

CMOS 3.0 V核心电压，支持灵活I/O
65纳米MIRRORBIT™ Eclipse技术
单电源供电，用于读/编程/擦除操作（2.7 V 至 3.6 V）
灵活的I/O特性
宽I/O电压范围：1.65 V 至 VCC
×16数据总线
异步32字节页面读取
512字节编程缓冲区
支持页面倍数编程，最多512字节
单字和同一字多编程选项
自动错误检查与纠正 – 带单比特错误纠正的内部硬件ECC
扇区擦除
统一的128千字节扇区
用于编程和擦除操作的中止与恢复命令
通过状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定器件状态
高级扇区保护
每个扇区支持易失性和非易失性保护方法
独立的1024字节一次性编程阵列，包含两个可锁定区域
通用闪存接口参数表
工业级温度范围（-40℃ to +85℃）
增强工业级温度范围（-40℃ to +105℃）
汽车级，AEC-Q100 3级（-40℃ to +85℃）
汽车级，AEC-Q100 2级（-40℃ to +105℃）
100,000次编程/擦除周期
20年数据保持期
封装选项：56引脚TSOP；64球LAA加固BGA，13 mm × 11 mm；64球LAE加固BGA，9 mm × 9 mm；56球VBU加固BGA，9 mm × 7 mm

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	100uA
	擦写寿命	100000次