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2N7002K
N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vds): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 功率: 350mW
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C22400337
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
AGM08T15C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器