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SI2302
N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 描述
- 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2.5A 功率: 0.9W
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- SI2302
- 商品编号
- C22400357
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0328克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 2.5 A
- 当 VGS = 2.5 V 时,RDS(ON) < 115 mΩ
- 当 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 85 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- 数码单反相机