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LM2105DSGR

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM2105DSGR
商品编号: C22399677
商品封装: WSON-8(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.051302克(g)

商品参数

商品概述

LM2105是一款紧凑的高压栅极驱动器，设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高端和低端N沟道MOSFET。集成的自举二极管节省了电路板空间，并通过消除对外部分立二极管的需求降低了系统成本。

SH引脚上的-1V直流和-19.5V瞬态负电压处理能力提高了高噪声应用中系统的鲁棒性。小型、热增强型8引脚WSON封装允许驱动器更靠近电机相放置，从而改善了PCB布局。LM2105也提供与行业标准引脚兼容的8引脚SOIC封装。在低端和高端电源轨上均提供欠压锁定（UVLO）功能，以在电源开启和关闭期间提供保护。

商品特性

以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
集成自举二极管
GVDD上典型5V欠压锁定
BST上绝对最大电压为107V
SH上绝对最大负瞬态电压处理能力为-19.5V
峰值源/灌电流为0.5A/0.8A
典型传播延迟为115ns

应用领域

无刷直流（BLDC）电机
永磁同步电机（PMSM）
无线真空吸尘器
无线园艺和电动工具
电动自行车和电动滑板车
电池测试设备
离线不间断电源（UPS）
通用MOSFET或IGBT驱动器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	800mA
	拉电流(IOH)	500mA
	工作电压	5V~18V
	上升时间(tr)	28ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	18ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	430uA