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2SC3356 R25实物图
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2SC3356 R25

NPN 电流:100mA 电压:12V

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描述
此款NPN高频晶体管采用SOT-23封装,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):12V,功率(Pd):200mW,特征频率(fT):7GHz放大倍数125-250,具有有高功率增益和低噪声特性,适于主要用于通信设备中的高频放大,微波相控阵雷达功率放大、以及其他需要高功率增益和低噪声特性的微波放大器电路。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
2SC3356 R25
商品编号
C22399557
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)12V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)250@20mA,10V
属性参数值
特征频率(fT)7GHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+125℃
射基极击穿电压(Vebo)3V
数量1个NPN

数据手册PDF

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