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M95P08-IXMNT/E
超微功耗，8 Mbit 串行 SPI 页式 EEPROM，具备双路和四路输出
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- 描述
- M95P08-I和M95P08-E采用先进的专有非易失性存储器（NVM）技术制造。它们具备字节灵活性、页面可修改性、高页面循环性能以及超低功耗，与电可擦可编程只读存储器（EEPROM）技术的功耗相当。M95P08-I和M95P08-E是一款8 Mbit的串行外设接口（SPI）页面EEPROM器件，其结构为2048个可编程页面，每个页面512字节，可通过具有高性能双路和四路SPI输出的SPI总线进行访问
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M95P08-IXMNT/E
- 商品编号
- C22396240
- 商品封装
- SO-8N-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 80MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 50万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)；软件写保护功能；页写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.6V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | - | |
| 待机电流 | 16uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
M95P08-I和M95P08-E采用先进专有NVM技术制造，具有字节灵活性、页可修改性、高页循环性能和超低功耗，与EEPROM技术相当。它们是8-Mbit SPI页EEPROM器件，组织为2048个512字节的可编程页，通过SPI总线访问，支持高性能双和四SPI输出。器件提供两个额外的512字节识别页：第一个包含识别数据，可请求UID；第二个可存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。额外的状态、配置和易失性寄存器设置所需的设备配置，安全寄存器提供设备状态信息。M95P08-I的供电电压范围为1.6至3.6V，环境温度范围为-40℃至+85℃；M95P08-E的温度范围扩展至-40℃至+105℃，支持最高80MHz的时钟频率。器件支持最多512字节的字节和页写入指令，写入指令包含自定时自动擦除和编程操作，实现灵活的数据字节管理。器件还接受页/块/扇区/芯片擦除命令，将内存设置为擦除状态。内存可通过512字节页快速编程，并使用带缓冲加载的页编程指令进一步优化，以隐藏SPI通信延迟。
商品特性
- 接口：支持串行外设接口（SPI）和双/四输出
- 高速频率：时钟频率最高80MHz；单/双/四输出快速读取带一个虚拟字节；双输出数据传输最高160Mbits/s；四输出数据传输最高320Mbits/s
- 内存：8-Mbit页EEPROM；64-K字节块，4-K字节扇区；页大小512字节；两个额外512字节识别页
- 供电电压：宽电压范围1.6至3.6V
- 温度：工业级工作温度范围-40℃至+85℃；扩展级工作温度范围-40℃至+105℃
- 性能：全温度范围写入循环次数500k次；数据保留100年，500k次循环后保留10年
- 超低功耗：深度掉电模式典型电流0.6μA；待机模式典型电流16μA；10MHz下单读取典型电流800μA；页写入典型电流1.5mA；电流峰值控制<3mA
- 高写入/擦除性能：字节和页写入（含自动擦除和编程）512字节典型2ms；页编程512字节典型1.2ms；页擦除典型1.1ms；扇区擦除典型1.3ms；块擦除典型4ms；芯片擦除典型4ms；带缓冲加载的页编程
- 高级特性：ECC（DEC、TED）保证高内存可靠性；施密特触发器输入用于噪声过滤；输出缓冲可编程强度；ISO26262操作状态标志；软件复位；按块写保护（带上下选项）；可请求的ID；电子识别；支持SFDP（串行闪存可发现参数）模式；JEDEC标准制造商识别
- 封装：ECOPACK2（RoHS合规）和无卤素封装（DFN8 2×3mm、SO8N、WLCSP8）
- ESD保护：增强型ESD HBM（人体模型）保护
- 内存架构：内存阵列分为2048个512字节可擦除页；PEC执行擦除和编程算法，提升循环和数据保留性能；深度掉电模式最小化功耗；内存保护方案（块粒度，状态寄存器四个非易失位编码）