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AOT2500L-VB
N沟道 耐压:150V 电流:100A
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,150V；100A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOT2500L-VB
- 商品编号
- C22389436
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- PWM优化
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关