温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CEM6080-VB
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:5.3A 4.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CEM6080-VB
- 商品编号
- C22389456
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；3.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V；8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门
- 服务器
- DC/DC