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HM2301BKR-VB

P沟道 耐压:20V 电流:3.1A

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描述
SC70-3;P—Channel沟道,-20V;-3.1A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.45~-1.5V;
商品型号
HM2301BKR-VB
商品编号
C22389470
商品封装
SOT-323(SC-70)​
包装方式
编带
商品毛重
0.042克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4.5V;100mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)272pF
反向传输电容(Crss)44pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)55pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
  • 沟槽功率 MOSFET
  • 针对“低端”同步整流器操作进行优化
  • 100%进行 Rg 和 UIS 测试
  • 提供符合 RoHS 标准的无卤产品

应用领域

  • 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器

数据手册PDF