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JCS630CA-VB
N沟道 耐压:200V 电流:10A
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- JCS630CA-VB
- 商品编号
- C22389437
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤素
- 沟道型场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源