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UF630L-TA3-T-VB
N沟道 耐压:200V 电流:10A
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UF630L-TA3-T-VB
- 商品编号
- C22389444
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 和非钳位感性开关 (UIS) 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 同步降压电路的低端 MOSFET
- 游戏机
- 个人电脑