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SI4933DY-T1-E3-VB
P沟道 耐压:20V 电流:6.7A
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- 描述
- SOP8；2个P—Channel沟道,-20V；-8.9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4933DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C22389169
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@350uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.5nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域