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G2310-VB
N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- G2310-VB
- 商品编号
- C22389339
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V；86mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
- 游戏机
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