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STU411D-VB
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STU411D-VB
- 商品编号
- C22389354
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 420nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC