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STN6562-VB
N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- SOT23-6；2个N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STN6562-VB
- 商品编号
- C22389375
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V；28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@250uA；1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V；1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 初级侧开关