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TJ15P04M3-VB
P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TJ15P04M3-VB
- 商品编号
- C22389364
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 352pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 材料分类：符合RoHS标准、无卤
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 液晶电视的LED背光