温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD5805NT4G-VB
场效应管 （MOSFET)
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD5805NT4G-VB
- 商品编号
- C22389178
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC