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RTR030P02TL-VB
场效应管 （MOSFET)
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RTR030P02TL-VB
- 商品编号
- C22389179
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 先进的工艺技术
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供I²PAK（TO - 262）封装
- N沟道MOSFET