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50N06-VB TO220
N沟道，60 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 50N06-VB TO220
- 商品编号
- C22389010
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品概述
TP5335是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特点，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。
微芯科技（Microchip）的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的开关和放大应用。
商品特性
- 高输入阻抗和高增益
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容（CISS）和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 内置源漏二极管
- 无二次击穿
应用领域
- 逻辑电平接口(适用于TTL和CMOS)-固态继电器-模拟开关-电源管理-电信开关