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SPD30N06S2L-23-VB
N沟道 耐压:60V 电流:58A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPD30N06S2L-23-VB
- 商品编号
- C22388996
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
AGM30P20S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 结温 175 °C
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器