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LGE03N06BF
60V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术 出色的散热封装
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE03N06BF
- 商品编号
- C22388879
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
-沟槽功率中压MOSFET技术-出色的散热封装-用于低漏源导通电阻的高密度单元设计
商品特性
- VDS 60V
- ID 3.0A
- RDS(ON)(在 VGS=10 V 时)< 80 毫欧
- RDS(ON)(在 VGS=4.5 V 时)< 100 毫欧
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能
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