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LGE03N06BF
60V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术 出色的散热封装
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE03N06BF
- 商品编号
- C22388879
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单
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