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SP6036CP8

N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:5A

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描述
N+P MOSFET产品,耐压:60V,电流:N 5A/P -4A, Rdson:N 35mR/P 68mR
品牌名称
Siliup(矽普)
商品型号
SP6036CP8
商品编号
C22385404
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1815克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V;60V
连续漏极电流(Id)5A;4A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V;68mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA;1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V;25.7nC@10V
输入电容(Ciss)1.165nF;1.09nF
反向传输电容(Crss)46pF;58pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)53pF;77pF

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻
  • 低反向传输电容
  • 100%单脉冲雪崩能量测试

应用领域

  • 高速功率开关
  • 直流-直流转换器
  • 电源管理

数据手册PDF