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SP3011CNK

N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:24A

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描述
N+P MOSFET产品,耐压:30V,电流:N 24A/P -21A, Rdson:N 11mR/P 20mR
品牌名称
Siliup(矽普)
商品型号
SP3011CNK
商品编号
C22385425
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1744克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)24A;21A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V;11mΩ@10V
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA;1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.6nC@4.5V;26nC@10V
输入电容(Ciss)1.316nF;940pF
反向传输电容(Crss)109pF;176pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)131pF;180pF

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻
  • 先进的分裂栅沟槽技术
  • 100%单脉冲雪崩能量测试

应用领域

  • 功率开关应用
  • PWM应用
  • DC-DC转换器

数据手册PDF