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SP3022CNJ

N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:8A

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描述
N+P MOSFET产品,耐压:30V,电流:N 8A/P -7A, Rdson:N 15mR/P 18mR
品牌名称
Siliup(矽普)
商品型号
SP3022CNJ
商品编号
C22385437
商品封装
PDFNWB-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
1.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A;7A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V;18mΩ@10V
耗散功率(Pd)14W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA;1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5nC@4.5V;21nC@10V
输入电容(Ciss)416pF;1.07nF
反向传输电容(Crss)51pF;142pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)62pF;146pF

商品特性

  • 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 开关速度快

应用领域

  • 负载开关
  • 逆变器
  • 电源管理

数据手册PDF