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SP1049CP8
N沟道+P沟道 耐压:100V 电流:6A 6A
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- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：100V，电流：N 6A/P -6A, Rdson：N 40mR/P 90mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP1049CP8
- 商品编号
- C22385412
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V；100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V；90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V；21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.605nF；2.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF；68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF；81pF |
商品特性
- 高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理