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SP2036CP8
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：20V，电流：N 6A/P -5A, Rdson：N 22mR/P 50mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP2036CP8
- 商品编号
- C22385398
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 采用无铅产品
- 表面贴装封装
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理