温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SP010N02GHTO
耐压:100V 电流:260A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP010N02GHTO
- 商品编号
- C22385352
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.918333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.608nF |
商品概述
先进沟槽工艺技术 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻 采用SOT-323表面贴装封装。
商品特性
- VDS = 20V
- ID = 2.1A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)最大值为68 mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON)最大值为115 mΩ