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SP010N03AGHTO
N沟道 耐压:100V 电流:240A
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- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP010N03AGHTO
- 商品编号
- C22385353
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.660732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.162nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.067nF |
商品概述
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 采用SOT - 323表面贴装封装。
商品特性
- VDS = -20V
- ID = -1.4A
- VGS = -4.5V时，RDS(ON)最大值为100mΩ
- VGS = -2.5V时，RDS(ON)最大值为140mΩ
- VGS = -1.8V时，RDS(ON)最大值为210mΩ