温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SP60N02BGTD
耐压:60V 电流:180A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP60N02BGTD
- 商品编号
- C22385360
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V
- 漏极电流（ID） = -0.5 A
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) 典型值 = 530 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V时，导通电阻RDS(ON) 典型值 = 750 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -1.8 V时，导通电阻RDS(ON) 典型值 = 1100 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 静电放电保护
应用领域
- 负载开关
- 低电流逆变器
- 低电流DC/DC转换器