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SP40N01AGTO
耐压:40V 电流:350A
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- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP40N01AGTO
- 商品编号
- C22385346
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.902克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V；0.85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 174nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.7nF |
商品概述
FDV303N-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品FDV303N-ES为无铅产品。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- PWM应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理