温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2333-ES
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2333-ES
- 商品编号
- C22379634
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品概述
SI2333-ES 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 SI2333-ES 为无铅产品。
商品特性
- 12V,RDS(ON) = 29 m Ω(典型值),VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 45 m Ω(典型值),VGS = -2.5V
- RDS(ON) = 67 m Ω(典型值),VGS = -1.8V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换